半导体设备 O 型圈的性能要求远超普通工业密封件，需满足超高洁净度与极端环境适应性。材质纯度是首要指标，必须采用低析出物氟橡胶（如全氟醚橡胶 FFKM），其金属离子含量≤10ppb，挥发分（150℃×24h）≤0.1%，避免污染物影响晶圆良率。在化学兼容性方面，需耐受刻蚀工艺中的腐蚀性气体（如 NF3、Cl2）与有机溶剂（如异丙醇），经过 1000 次暴露循环后，O 型圈的质量损失率需≤1%。

尺寸精度控制严苛，半导体设备 O 型圈的截面直径公差需达到 ±0.02mm，圆度偏差≤0.01mm，以确保在超高真空环境（≤10-7Pa）下的密封可靠性。对于快速热退火炉等设备，O 型圈需承受 - 70℃~300℃的极端温度循环，热膨胀系数需稳定在 8×10-5/℃左右，避免因尺寸剧变导致真空泄漏。此外，表面特性至关重要，通过等离子体处理可使 O 型圈表面粗糙度 Ra≤0.1μm，减少颗粒吸附（粒径≥0.5μm 的颗粒数≤10 个 / 件）。在安装环节，需在 Class 10 级洁净室中采用防静电镊子操作，避免 O 型圈沾染微尘，同时通过氦质谱检漏仪检测泄漏率（≤1×10-9 Pa・m3/s），确保满足半导体制造的超高洁净标准。